Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
PSMN017-30EL,127
Explicación
MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 30 V 32A (Tc) 47W (Tc) Through Hole I2PAK
Fabricación
Nexperia USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Nexperia USA Inc.
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
552 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
47W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
PSMN017

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2166-PSMN017-30EL,127-1727
934066819127
568-9505-5-ND
1727-7129
568-9505-5
PSMN01730EL127

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Nexperia USA Inc. PSMN017-30EL,127

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(PSMN017-30BL)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev 31/Dec/2019)
PCN Packaging
()

Cantidad y precio

-

Alternativas

-