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GermanyNP90N03VUG-E1-AY
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NP90N03VUG-E1-AY
Explicación
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Descripción detallada
N-Channel 30 V 90A (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc) Surface Mount TO-252
Fabricación
Renesas Electronics Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
158
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.2W (Ta), 105W (Tc)
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
RENRNSNP90N03VUG-E1-AY
2156-NP90N03VUG-E1-AY-RETR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NP90N03VUG-E1-AY
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NP90N03VUG-E1-AY)
Cantidad y precio
Cantidad: 158
Precio unitario: $1.9
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 158
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 158
Alternativas
-