English
Spain
China
Italy
GermanyFQP4N20L
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FQP4N20L
Примечания
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Подробное описание
N-Channel 200 V 3.8A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220-3
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
548
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
45W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Другие названия
FAIFSCFQP4N20L
2156-FQP4N20L
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQP4N20L
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FQP4N20L Datasheet)
Количественные цены
Количество: 548
Стоимость единицы: $0.55
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 548
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 548
Альтернативы
-