English
Spain
China
Italy
GermanyPMEM4030NS,115
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
PMEM4030NS,115
Примечания
TRANS NPN 50V 2A 8SO
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor NPN + Diode (Isolated) 50 V 2 A 100MHz 1 W Surface Mount 8-SO
Производитель
NXP USA Inc.
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN + Diode (Isolated)
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 1A, 2V
Power - Max
1 W
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
Base Product Number
PMEM4
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Другие названия
934057775115
PMEM4030NS T/R-ND
PMEM4030NS T/R
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/NXP USA Inc. PMEM4030NS,115
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(PMEM4030NS)
Environmental Information
()
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
1(PMEM4030NS)
Количественные цены
-
Альтернативы
-