English
Spain
China
Italy
GermanyIRFI620
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFI620
Примечания
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3
Подробное описание
N-Channel 200 V 4.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
260 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Product Number
IRFI620
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFI620
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRFI620G)
HTML Datasheet
1(IRFI620G)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : IRFI620GPBF
Производитель : Vishay Siliconix
Имеющееся количество : 840
Стоимость единицы : $1.68000
Тип замены : Parametric Equivalent
Имеющееся количество : 840
Стоимость единицы : $1.68000
Тип замены : Parametric Equivalent