English
Spain
China
Italy
GermanyIRLU3717PBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRLU3717PBF
Примечания
MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK
Подробное описание
N-Channel 20 V 120A (Tc) 89W (Tc) Through Hole I-PAK
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
75
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2830 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
89W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
*IRLU3717PBF
SP001573078
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLU3717PBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRLR3717PbF, IRLU3717PbF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Design Resources
1(IRLR3717PBF Saber Model)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRLR3717PbF, IRLU3717PbF)
Количественные цены
-
Альтернативы
-