English
Spain
China
Italy
GermanyTP65H035G4WS
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
TP65H035G4WS
Примечания
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Подробное описание
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
Производитель
Transphorm
Стандартный срок поставки
16 Weeks
Модель EDACAD
TP65H035G4WS Models
Стандартная упаковка
30
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Transphorm
Series
SuperGaN™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 0 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
156W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
TP65H035
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Transphorm TP65H035G4WS
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(TP65H035G4WS)
Featured Product
()
HTML Datasheet
1(TP65H035G4WS)
EDA Models
1(TP65H035G4WS Models)
Количественные цены
Количество: 510
Стоимость единицы: $12.38967
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 120
Стоимость единицы: $13.67133
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 30
Стоимость единицы: $14.52567
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $17.94
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Альтернативы
-