English
Spain
China
Italy
Germany2SB1032K-E
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
2SB1032K-E
Примечания
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120 V 10 A 80 W Through Hole TO-3P
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
91
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 3V
Power - Max
80 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-2SB1032K-E
RENRNS2SB1032K-E
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Renesas Electronics Corporation 2SB1032K-E
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 91
Стоимость единицы: $3.33
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 91
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 91
Альтернативы
-