English
Spain
China
Italy
GermanyIPL65R190E6AUMA1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IPL65R190E6AUMA1
Примечания
MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON
Подробное описание
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ E6
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
151W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-VSON-4
Package / Case
4-PowerTSFN
Base Product Number
IPL65R
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPL65R190E6AUMA1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IPL65R190E6)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPL65R190E6)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V E6 Spice Model)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : IPL65R070C7AUMA1
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 3,684
Стоимость единицы : $8.15000
Тип замены : Direct
Имеющееся количество : 3,684
Стоимость единицы : $8.15000
Тип замены : Direct