English
Spain
China
Italy
GermanyBUZ73AIN
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
BUZ73AIN
Примечания
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
966
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-BUZ73AIN
IFEINFBUZ73AIN
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BUZ73AIN
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 966
Стоимость единицы: $0.35
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 966
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 966
Альтернативы
-