English
Spain
China
Italy
GermanyMT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R
Примечания
IC FLASH 512GBIT PARALLEL DIE
Подробное описание
FLASH - NAND (TLC) Memory IC 512Gbit Parallel Die
Производитель
Micron Technology Inc.
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Micron Technology Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Non-Volatile
Memory Format
FLASH
Technology
FLASH - NAND (TLC)
Memory Size
512Gbit
Memory Organization
64G x 8
Memory Interface
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page
-
Voltage - Supply
2.5V ~ 3.6V
Operating Temperature
0°C ~ 70°C
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
MT29F512G08
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R
Документация и средства массовой информации
-
Количественные цены
-
Альтернативы
-