English
Spain
China
Italy
GermanyIRFL4315PBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFL4315PBF
Примечания
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Подробное описание
N-Channel 150 V 2.6A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
80
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-223
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFL4315PBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRFL4315)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(IRFL4315)
Количественные цены
-
Альтернативы
-