English
Spain
China
Italy
GermanyIPS80R2K4P7AKMA1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IPS80R2K4P7AKMA1
Примечания
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Подробное описание
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,500
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tube
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 500 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
22W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
IPS80R2
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SP001644624
IFEINFIPS80R2K4P7AKMA1
2156-IPS80R2K4P7AKMA1
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPS80R2K4P7AKMA1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IPS80R2K4P7)
HTML Datasheet
1(IPS80R2K4P7)
Simulation Models
1(MOSFET CoolMOS™ P7 800V Spice Model)
Количественные цены
Количество: 1500
Стоимость единицы: $0.39608
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1500
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1500
Альтернативы
Номер запчасти. : IPU80R2K4P7AKMA1
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 1,339
Стоимость единицы : $0.93000
Тип замены : Parametric Equivalent
Имеющееся количество : 1,339
Стоимость единицы : $0.93000
Тип замены : Parametric Equivalent