Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IPAN60R600P7SXKSA1
Примечания
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
Подробное описание
N-Channel 650 V 6A (Tc) 21W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
IPAN60R600P7SXKSA1 Models
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tube
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
363 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
21W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220 Full Pack
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
IPAN60

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

2156-IPAN60R600P7SXKSA1
448-IPAN60R600P7SXKSA1
SP001866160

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPAN60R600P7SXKSA1

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IPAN60R600P7S)
HTML Datasheet
1(IPAN60R600P7S)
EDA Models
1(IPAN60R600P7SXKSA1 Models)

Количественные цены

Количество: 100
Стоимость единицы: $0.6327
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 10
Стоимость единицы: $0.813
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $0.99
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

Номер запчасти. : IPA70R360P7SXKSA1
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 544
Стоимость единицы : $1.29000
Тип замены : Similar