Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IPD50R650CEBTMA1
Примечания
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
Подробное описание
N-Channel 500 V 6.1A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
2,500
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
342 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
47W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD50R

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

SP000992078
IPD50R650CECT-ND
ROCINFIPD50R650CEBTMA1
IPD50R650CEBTMA1CT
IPD50R650CECT
IPD50R650CETR-ND
2156-IPD50R650CEBTMA1
IPD50R650CEBTMA1DKR
IPD50R650CEDKR-ND
-IPD50R650CE
IPD50R650CEBTMA1TR
IPD50R650CE
IPD50R650CETR
IPD50R650CEDKR

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD50R650CEBTMA1

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IPD50R650CE)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(IPD50R650CE)

Количественные цены

-

Альтернативы

Номер запчасти. : STD10N60M2
Производитель : STMicroelectronics
Имеющееся количество : 6,542
Стоимость единицы : $1.54000
Тип замены : Similar