English
Spain
China
Italy
GermanyTPH3206LDGB
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
TPH3206LDGB
Примечания
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Подробное описание
N-Channel 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Производитель
Transphorm
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
60
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Transphorm
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 480 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
81W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
3-PQFN (8x8)
Package / Case
3-PowerDFN
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Другие названия
TPH3206LDG
TPH3206LDG-ND
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Transphorm TPH3206LDGB
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(TPH3206L Series)
Product Training Modules
1(GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies)
Video File
()
PCN Obsolescence/ EOL
()
PCN Part Status Change
1(Mult Dev NRND 20/May/2018)
HTML Datasheet
1(TPH3206L Series)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : TP65H150G4LSG
Производитель : Transphorm
Имеющееся количество : 2,884
Стоимость единицы : $5.06000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 2,884
Стоимость единицы : $5.06000
Тип замены : Similar
Номер запчасти. : IXFA22N65X2
Производитель : IXYS
Имеющееся количество : 250
Стоимость единицы : $5.66000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 250
Стоимость единицы : $5.66000
Тип замены : Similar