English
Spain
China
Italy
GermanyIXFK24N100F
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IXFK24N100F
Примечания
MOSFET N-CH 1000V 24A TO264
Подробное описание
N-Channel 1000 V 24A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA
Производитель
IXYS
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
IXYS
Series
HiPerRF™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
560W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-264AA
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Base Product Number
IXFK24
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFK24N100F
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IXFK24N100F, IXFX24N100F)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 18/Jan/2019)
HTML Datasheet
1(IXFK24N100F, IXFX24N100F)
Количественные цены
-
Альтернативы
-