English
Spain
China
Italy
GermanyNDD60N550U1-35G
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
NDD60N550U1-35G
Примечания
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
Подробное описание
N-Channel 600 V 8.2A (Tc) 94W (Tc) Through Hole IPAK
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
75
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
94W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Base Product Number
NDD60
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-NDD60N550U1-35G-ON
ONSONSNDD60N550U1-35G
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NDD60N550U1-35G
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(NDD60N550U1)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 22/Dec/2017)
PCN Design/Specification
1(NDD60NYYY 25/Jan/2017)
HTML Datasheet
1(NDD60N550U1)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : STU12N60M2
Производитель : STMicroelectronics
Имеющееся количество : 0
Стоимость единицы : $0.73479
Тип замены : Direct
Имеющееся количество : 0
Стоимость единицы : $0.73479
Тип замены : Direct
Номер запчасти. : SIHU7N60E-E3
Производитель : Vishay Siliconix
Имеющееся количество : 0
Стоимость единицы : $0.89464
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 0
Стоимость единицы : $0.89464
Тип замены : Similar