Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
NTE2378
Примечания
MOSFET N-CHANNEL 900V 5A TO3P
Подробное описание
N-Channel 900 V 5A (Ta) 120W (Tc) Through Hole TO-3P
Производитель
NTE Electronics, Inc
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
NTE Electronics, Inc
Series
-
Package
Bag
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
120W (Tc)
Operating Temperature
150°C
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NTE Electronics, Inc NTE2378

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(NTE23xx Datasheet)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(NTE23xx Datasheet)

Количественные цены

Количество: 100
Стоимость единицы: $5.79
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 50
Стоимость единицы: $5.93
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 20
Стоимость единицы: $6.28
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 10
Стоимость единицы: $6.63
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $6.98
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-