English
Spain
China
Italy
GermanyIPP50N12S3L15AKSA1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IPP50N12S3L15AKSA1
Примечания
MOSFET N-CHANNEL_100+
Подробное описание
N-Channel 120 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
500
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 60µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4180 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP50N
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
INFINFIPP50N12S3L15AKSA1
SP001398614
2156-IPP50N12S3L15AKSA1
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP50N12S3L15AKSA1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IPx50N12S3L-15)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 9/Sep/2019)
Simulation Models
1(OptiMOS-T 120V Spice Model)
Количественные цены
Количество: 360
Стоимость единицы: $0.84
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 360
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 360
Альтернативы
-