English
Spain
China
Italy
GermanyIRF6613TR1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRF6613TR1
Примечания
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Подробное описание
N-Channel 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Ta), 150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5950 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MT
Package / Case
DirectFET™ Isometric MT
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SP001528856
IRF6613
IRF6613TR1TR
IRF6613TR1INACTIVE
IRF6613-ND
*IRF6613TR1
IRF6613TR1-ND
IRF6613TR1CT
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6613TR1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRF6613)
Other Related Documents
()
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF6613)
Product Drawings
1(IR Hexfet Circuit)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : IRF6613TRPBF
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 4,078
Стоимость единицы : $2.40000
Тип замены : Parametric Equivalent
Имеющееся количество : 4,078
Стоимость единицы : $2.40000
Тип замены : Parametric Equivalent