English
Spain
China
Italy
GermanyPSMN2R0-60ES,127
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
PSMN2R0-60ES,127
Примечания
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Подробное описание
N-Channel 60 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Производитель
Nexperia USA Inc.
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Nexperia USA Inc.
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
137 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9997 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
338W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
PSMN2R0
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
568-6709-5-ND
568-6709
1727-5281
2166-PSMN2R0-60ES,127-1727
568-6709-5
934065162127
568-6709-ND
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Nexperia USA Inc. PSMN2R0-60ES,127
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(PSMN2R0-60ES)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev 31/Dec/2019)
PCN Assembly/Origin
1(Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(PSMN2R0-60ES)
Количественные цены
Количество: 1
Стоимость единицы: $3.05
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Альтернативы
Номер запчасти. : IRFSL3306PBF
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 0
Стоимость единицы : $2.54000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 0
Стоимость единицы : $2.54000
Тип замены : Similar