English
Spain
China
Italy
GermanyIXFN320N17T2
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IXFN320N17T2
Примечания
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B
Подробное описание
N-Channel 170 V 260A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Производитель
IXYS
Стандартный срок поставки
45 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, TrenchT2™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
170 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
260A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
640 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
45000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1070W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
IXFN320
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFN320N17T2
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IXFN320N17T2)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(GigaMOS™ TrenchT2™ Power MOSFETs)
HTML Datasheet
1(IXFN320N17T2)
Количественные цены
Количество: 300
Стоимость единицы: $37.61827
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 300
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 300
Альтернативы
-