SPP10N10L

Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя

SPP10N10L

Примечания

MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3

Подробное описание

N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Производитель

Infineon Technologies

Стандартный срок поставки

Модель EDACAD

Стандартная упаковка

500

Запасы поставщиков

>>>Нажмите для просмотра<<<

Технические нормы

Mfr

Infineon Technologies

Series

SIPMOS®

Package

Tube

Product Status

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

10.3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

154mOhm @ 8.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 21µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

444 pF @ 25 V

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

50W (Tc)

Operating Temperature

-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Supplier Device Package

PG-TO220-3-1

Package / Case

TO-220-3

Base Product Number

SPP10N

Классификация окружающей среды и экспорта

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Другие названия

SP000013849

SPP10N10LX

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPP10N10L

Документация и средства массовой информации

Datasheets

1(SPI,SPP10N10L)

Количественные цены

-

Альтернативы

-

846-043-558-108 345-144-524-558 TSW-112-12-S-D UG-274/U(40)3585-C-632-B

SPP10N10L

Номер запчасти

Технические нормы

Классификация окружающей среды и экспорта

Другие названия

Категория

Документация и средства массовой информации

Количественные цены

Альтернативы

Похожие продукты