English
Spain
China
Italy
Germany2SB1167S
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
2SB1167S
Примечания
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 130MHz 1.2 W Through Hole TO-126LP
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
987
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Power - Max
1.2 W
Frequency - Transition
130MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126LP
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Другие названия
2156-2SB1167S
ONSONS2SB1167S
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SB1167S
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 987
Стоимость единицы: $0.3
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 987
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 987
Альтернативы
-