English
Spain
China
Italy
GermanyAIMW120R035M1HXKSA1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
AIMW120R035M1HXKSA1
Примечания
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Подробное описание
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
39 Weeks
Модель EDACAD
AIMW120R035M1HXKSA1 Models
Стандартная упаковка
30
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolSiC™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2130 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
228W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Package / Case
TO-247-3
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
448-AIMW120R035M1HXKSA1
SP005417579
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies AIMW120R035M1HXKSA1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(AIMW120R035M1H)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
EDA Models
1(AIMW120R035M1HXKSA1 Models)
Количественные цены
Количество: 120
Стоимость единицы: $27.49542
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 30
Стоимость единицы: $29.32833
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $35.38
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Альтернативы
-