English
Spain
China
Italy
GermanyPDTA115EMB,315
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
PDTA115EMB,315
Примечания
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN
Подробное описание
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 20 mA 180 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
Производитель
NXP USA Inc.
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
11,181
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
100 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
Frequency - Transition
180 MHz
Power - Max
250 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-101, SOT-883
Supplier Device Package
DFN1006B-3
Base Product Number
PDTA115
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Другие названия
2156-PDTA115EMB,315
NEXNXPPDTA115EMB,315
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/NXP USA Inc. PDTA115EMB,315
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(PDTA115EMB,315 Datasheet)
Количественные цены
Количество: 11181
Стоимость единицы: $0.03
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 11181
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 11181
Альтернативы
-