English
Spain
China
Italy
GermanySTP12N65M2
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
STP12N65M2
Примечания
POWER MOSFET
Подробное описание
N-Channel 650 V 8A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220
Производитель
STMicroelectronics
Стандартный срок поставки
99 Weeks
Модель EDACAD
STP12N65M2 Models
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
STMicroelectronics
Series
MDmesh™ DM2
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
535 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
85W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
STP12
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STP12N65M2
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(STP12N65M2)
EDA Models
1(STP12N65M2 Models)
Количественные цены
Количество: 1000
Стоимость единицы: $0.92914
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1000
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1000
Альтернативы
-