English
Spain
China
Italy
GermanyFCI11N60
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FCI11N60
Примечания
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
Подробное описание
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
249
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
SuperFET™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1490 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
FAIFSCFCI11N60
2156-FCI11N60-FS
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FCI11N60
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FCI11N60)
Количественные цены
Количество: 249
Стоимость единицы: $1.21
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 249
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 249
Альтернативы
-