Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
G3R20MT12N
Примечания
SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Подробное описание
N-Channel 1200 V 105A (Tc) 365W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Производитель
GeneSiC Semiconductor
Стандартный срок поставки
26 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
10
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
GeneSiC Semiconductor
Series
G3R™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 60A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.69V @ 15mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
219 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+20V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5873 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
365W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
G3R20

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(G3R20MT12N)

Количественные цены

Количество: 100
Стоимость единицы: $47.7191
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 25
Стоимость единицы: $50.1272
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 10
Стоимость единицы: $51.785
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $56.2
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-