Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
MJD112-001
Примечания
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
MJD112-001 Models
Стандартная упаковка
75
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Power - Max
1.75 W
Frequency - Transition
25MHz
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package
I-PAK
Base Product Number
MJD11

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

ONSONSMJD112-001
MJD112-001OS
2156-MJD112-001-ON

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi MJD112-001

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(MJD112,117)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 30/Jun/2006)
HTML Datasheet
1(MJD112,117)
EDA Models
1(MJD112-001 Models)

Количественные цены

-

Альтернативы

Номер запчасти. : MJD112-1G
Производитель : onsemi
Имеющееся количество : 153
Стоимость единицы : $1.03000
Тип замены : Direct