English
Spain
China
Italy
GermanyIPI90R800C3XKSA1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IPI90R800C3XKSA1
Примечания
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Подробное описание
N-Channel 900 V 6.9A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
500
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 460µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
104W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IPI90R
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SP000683086
IFEINFIPI90R800C3XKSA1
2156-IPI90R800C3XKSA1-IT
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPI90R800C3XKSA1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IPI90R800C3)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPI90R800C3)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 900V C3 Spice Model)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : STP10N95K5
Производитель : STMicroelectronics
Имеющееся количество : 1,044
Стоимость единицы : $3.27000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 1,044
Стоимость единицы : $3.27000
Тип замены : Similar