English
Spain
China
Italy
GermanyIXFN100N50Q3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IXFN100N50Q3
Примечания
MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B
Подробное описание
N-Channel 500 V 82A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Производитель
IXYS
Стандартный срок поставки
59 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
10
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Q3 Class
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
49mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13800 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
960W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
IXFN100
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFN100N50Q3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IXFN100N50Q3)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs)
HTML Datasheet
1(IXFN100N50Q3)
Количественные цены
Количество: 100
Стоимость единицы: $47.3695
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 10
Стоимость единицы: $52.633
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $57.9
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Альтернативы
-