Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IPD110N12N3GBUMA1
Примечания
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Подробное описание
N-Channel 120 V 75A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
2,500
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4310 pF @ 60 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
136W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Package / Case
-
Base Product Number
IPD110N

Классификация окружающей среды и экспорта

Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

IPD110N12N3 G
IPD110N12N3G
SP000674466
IPD110N12N3 GCT
IFEINFIPD110N12N3GBUMA1
IPD110N12N3 GTR-ND
IPD110N12N3 GCT-ND
IPD110N12N3GBUMA1CT
IPD110N12N3GBUMA1DKR
IPD110N12N3 GDKR
2156-IPD110N12N3GBUMA1
IPD110N12N3 G-ND
IPD110N12N3 GDKR-ND
2156-IPD110N12N3GBUMA1-ITTR-ND
IPD110N12N3 GTR
IPD110N12N3GBUMA1TR

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD110N12N3GBUMA1

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IPx110N12N3 G)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(IPx110N12N3 G)

Количественные цены

-

Альтернативы

Номер запчасти. : IPD110N12N3GATMA1
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 6,974
Стоимость единицы : $2.40000
Тип замены : Direct