Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
NTE2018
Примечания
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
Производитель
NTE Electronics, Inc
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
NTE Electronics, Inc
Series
-
Package
Bag
Product Status
Active
Transistor Type
8 NPN Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Power - Max
1W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-20°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package
18-PDIP
Base Product Number
NTE20

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays/NTE Electronics, Inc NTE2018

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(NTE201x, NTE2020)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(NTE201x, NTE2020)

Количественные цены

Количество: 100
Стоимость единицы: $3.04
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 50
Стоимость единицы: $3.11
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 20
Стоимость единицы: $3.29
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 10
Стоимость единицы: $3.48
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $3.66
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-