Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
SIDR402DP-T1-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Подробное описание
N-Channel 40 V 64.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
18 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET® Gen IV
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
64.6A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9100 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8DC
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIDR402

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

SIDR402DP-T1-GE3CT
SIDR402DP-T1-GE3DKR
SIDR402DP-T1-GE3TR

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIDR402DP-T1-GE3

Документация и средства массовой информации

Datasheets
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Wafer Chg 1/Jul/2021)
HTML Datasheet
()

Количественные цены

Количество: 9000
Стоимость единицы: $1.02938
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Минимальный множитель: 6000
Количество: 6000
Стоимость единицы: $1.06462
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Минимальный множитель: 6000

Альтернативы

Номер запчасти. : SIDR402DP-T1-RE3
Производитель : Vishay Siliconix
Имеющееся количество : 14,282
Стоимость единицы : $2.29000
Тип замены : Parametric Equivalent