English
Spain
China
Italy
GermanyIRF9Z10
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRF9Z10
Примечания
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Подробное описание
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
43W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IRF9
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRF9Z10
Документация и средства массовой информации
Datasheets
()
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : IRF9Z10PBF
Производитель : Vishay Siliconix
Имеющееся количество : 841
Стоимость единицы : $1.56000
Тип замены : Direct
Имеющееся количество : 841
Стоимость единицы : $1.56000
Тип замены : Direct
Номер запчасти. : IRF9Z14PBF
Производитель : Vishay Siliconix
Имеющееся количество : 4,822
Стоимость единицы : $1.24000
Тип замены : Parametric Equivalent
Имеющееся количество : 4,822
Стоимость единицы : $1.24000
Тип замены : Parametric Equivalent