Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
R6015FNX
Примечания
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Подробное описание
N-Channel 600 V 15A (Tc) 77W (Tc) Through Hole TO-220FM
Производитель
Rohm Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
R6015FNX Models
Стандартная упаковка
500
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1660 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
77W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220FM
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
R6015

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Rohm Semiconductor R6015FNX

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(R6015FNX)
Other Related Documents
()
Environmental Information
()
EDA Models
1(R6015FNX Models)
Simulation Models
1(R6015FNX Spice Model)
Reliability Documents
1(TO220FM MOS Reliability Test)
Product Drawings
1(TO-220FM, TO-220FN)

Количественные цены

-

Альтернативы

-