English
Spain
China
Italy
Germany2SB857C-E
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
2SB857C-E
Примечания
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 4 A 15MHz 40 W Through Hole TO-220AB
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
163
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 1A, 4V
Power - Max
40 W
Frequency - Transition
15MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-2SB857C-E
RENRNS2SB857C-E
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Renesas Electronics Corporation 2SB857C-E
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 163
Стоимость единицы: $1.85
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 163
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 163
Альтернативы
-