Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IXFT180N20X3HV
Примечания
MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV
Подробное описание
N-Channel 200 V 180A (Tc) 780W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Производитель
IXYS
Стандартный срок поставки
47 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Ultra X3
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
780W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-268HV (IXFT)
Package / Case
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Base Product Number
IXFT180

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFT180N20X3HV

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IXFx180N20X3(HV))
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(200 V Ultra-Junction X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs)
PCN Design/Specification
1(Mult Dev MSL3 Pkg Chg 9/Jun/2020)
PCN Packaging
1(Multiple Devices MSL 09/Jun/2020)
HTML Datasheet
1(IXFx180N20X3(HV))

Количественные цены

Количество: 510
Стоимость единицы: $12.27631
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 120
Стоимость единицы: $13.54625
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 30
Стоимость единицы: $14.393
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $17.78
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-