English
Spain
China
Italy
GermanyDMG7N65SJ3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
DMG7N65SJ3
Примечания
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
Подробное описание
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
Производитель
Diodes Incorporated
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Diodes Incorporated
Series
Automotive, AEC-Q101
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
886 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
DMG7N65
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Diodes Incorporated DMG7N65SJ3
Документация и средства массовой информации
Environmental Information
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 2/Sep/2021)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Site Chg 6/Aug/2020)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : IPU60R1K5CEAKMA2
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 1,013
Стоимость единицы : $0.63000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 1,013
Стоимость единицы : $0.63000
Тип замены : Similar
Номер запчасти. : STU5N62K3
Производитель : STMicroelectronics
Имеющееся количество : 3,000
Стоимость единицы : $1.77000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 3,000
Стоимость единицы : $1.77000
Тип замены : Similar