English
Spain
China
Italy
GermanyG2R1000MT33J
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
G2R1000MT33J
Примечания
SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Подробное описание
N-Channel 3300 V 4A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Производитель
GeneSiC Semiconductor
Стандартный срок поставки
26 Weeks
Модель EDACAD
G2R1000MT33J Models
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
GeneSiC Semiconductor
Series
G2R™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
3300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
238 pF @ 1000 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
74W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263-7
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Base Product Number
G2R1000
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(G2R1000MT33J)
EDA Models
1(G2R1000MT33J Models)
Количественные цены
Количество: 1
Стоимость единицы: $18.69
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Альтернативы
-