English
Spain
China
Italy
GermanyRN2969FE(TE85L,F)
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
RN2969FE(TE85L,F)
Примечания
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Подробное описание
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
4,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
200MHz
Power - Max
100mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
ES6
Base Product Number
RN2969
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Другие названия
RN2969FE(TE85LF)TR
RN2969FE(TE85LF)DKR
RN2969FE(TE85LF)CT
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased/Toshiba Semiconductor and Storage RN2969FE(TE85L,F)
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(RN2967FE-69FE)
Количественные цены
-
Альтернативы
-