Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IMZ120R090M1HXKSA1
Примечания
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Подробное описание
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
99 Weeks
Модель EDACAD
IMZ120R090M1HXKSA1 Models
Стандартная упаковка
30
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolSiC™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
117mOhm @ 8.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 3.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
707 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
115W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-4-1
Package / Case
TO-247-4
Base Product Number
IMZ120

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

448-IMZ120R090M1HXKSA1
IMZ120R090M1HXKSA1-ND
SP001946182

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IMZ120R090M1HXKSA1

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IMZ120R090M1H)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
EDA Models
1(IMZ120R090M1HXKSA1 Models)

Количественные цены

Количество: 1020
Стоимость единицы: $7.10229
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 510
Стоимость единицы: $7.7431
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 120
Стоимость единицы: $8.54408
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 30
Стоимость единицы: $9.078
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $11.21
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-