English
Spain
China
Italy
GermanyFDI040N06
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FDI040N06
Примечания
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Подробное описание
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
onsemi
Series
PowerTrench®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8235 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
231W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
FDI040
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FDI040N06
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FDI040N06)
Video File
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
Environmental Information
()
Featured Product
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 27/Feb/2012)
Количественные цены
-
Альтернативы
-