English
Spain
China
Italy
GermanyIRFD113
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFD113
Примечания
MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Подробное описание
N-Channel 60 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
4-HVMDIP
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Base Product Number
IRFD113
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFD113
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRFD113,SiHFD113)
PCN Obsolescence/ EOL
1(SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015)
HTML Datasheet
1(IRFD113,SiHFD113)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : IRFD113PBF
Производитель : Vishay Siliconix
Имеющееся количество : 2,337
Стоимость единицы : $2.09000
Тип замены : Direct
Имеющееся количество : 2,337
Стоимость единицы : $2.09000
Тип замены : Direct