English
Spain
China
Italy
GermanyUF3SC120009K4S
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
UF3SC120009K4S
Примечания
SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Подробное описание
N-Channel 1200 V 120A (Tc) 789W (Tc) Through Hole TO-247-4
Производитель
Qorvo
Стандартный срок поставки
44 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
30
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Qorvo
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 100A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
234 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8512 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
789W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-4
Package / Case
TO-247-4
Base Product Number
UF3SC120009
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Qorvo UF3SC120009K4S
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(UF3SC120009K4S)
Video File
1(Minimizing EMI and switching loss for SiC FETs)
Environmental Information
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev A/T Chgs 4/Jun/2021)
HTML Datasheet
1(UF3SC120009K4S)
Количественные цены
Количество: 120
Стоимость единицы: $64.73092
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 30
Стоимость единицы: $69.71033
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $79.67
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Альтернативы
-