Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IRFBC30PBF-BE3
Примечания
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Подробное описание
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
10 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
660 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
74W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IRFBC30

Классификация окружающей среды и экспорта

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFBC30PBF-BE3

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(Power MOSFET)

Количественные цены

Количество: 500
Стоимость единицы: $0.9294
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 100
Стоимость единицы: $1.0984
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 10
Стоимость единицы: $1.38
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $1.66
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-