English
Spain
China
Italy
GermanySPB10N10L G
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SPB10N10L G
Примечания
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
Подробное описание
N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
154mOhm @ 8.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 21µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
444 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SPB10N
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SPB10N10LGINCT
SPB10N10LG
SPB10N10LGINTR
SPB10N10LGINDKR
SPB10N10L G-ND
SPB10N10LGXT
SP000102169
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPB10N10L G
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SPB10N10L)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SPB10N10L)
Количественные цены
-
Альтернативы
-