English
Spain
China
Italy
GermanyIRF3710LPBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRF3710LPBF
Примечания
MOSFET N-CH 100V 57A TO262
Подробное описание
N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3130 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-IRF3710LPBFINF
SP001551048
*IRF3710LPBF
IFEINFIRF3710LPBF
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF3710LPBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRF3710S/L)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF3710S/L)
Количественные цены
-
Альтернативы
-